各種電路板之比較
FR-4 PCB,Metal CorePCB(MCPCB),LTCC Ceramic Substrate,Thick-Film Ceramic Substrate,DPC/Thin-Film Ceramic Substrate,Al2O3,AIN

 

 

 

薄膜與厚膜差異比較表

薄膜製程

厚膜製程

精準度高-誤差低於+/-1%

印刷方式-誤差值高 +/-10%

表面平整度高<0.3um

平整度低-誤差 1-3um

無須高溫燒結不會有氧化物生成附著性佳

附著性受基板材質影響AlN板尤差

材料穩定度較高

易受漿料均勻性影響

使用曝光顯影相對位置精準度高

受網版張力及印刷次數影響-相對位置精準度差

 

 

FR4,Al2O3,Aluminium Nitride(AlN),Gold,Silver,Copper

 

各類材料散熱係數 (The materials of conductivity)

Materials

Conductivity(W/mK)

FR4

0.2

Al2O3

17-27

Aluminium Nitride(AlN)

160-230

Gold

315

Silver

425

Copper

398

 

 

 

以上我們已將LED散熱基板在不同製程上做出差異分析,以薄膜製程備製陶瓷散熱基板具有較高的設備與技術,需整合材料開發門檻,如曝光、真空沉積、顯影、蒸鍍(Evaporation)、濺鍍(Sputtering)電鍍與無電鍍等技術,以目前的市場規模,薄膜產品的相對成本較高,但是一旦市場規模達到一定程度時,必定會反映在成本結構上,相對的在價格上與厚膜製程的差異將會有大幅度的縮短。

 

在高效能、高產品品質要求與高生產架動的高功率LED陶瓷基板的發展趨勢之下,高散熱效果、高精準度之薄膜製程陶瓷基板的選擇,將成為趨勢,以克服目前厚膜製程產品所無法突破的瓶頸。因此,可預期的薄膜陶瓷基板將逐漸應用在高功率LED上,並隨著高功率LED的快速發展而達經濟規模,此時不論高功率LED晶粒、薄膜型陶瓷散熱基板、封裝製程成本等都將大幅降低,進而更加速高功率LED產品的量化。